Завод Kioxia и SanDisk Semiconductor Fab2 запустил в эксплуатацию 218-слойную 3D-флэш-память
2025-10-17 15:01
В избр.

Недавно Kioxia (Kioxia) и Sandisk (Sandisk) объявили об официальном вводе в эксплуатацию своего завода по производству передовых полупроводников — Fab2 (K2), расположенного на заводе Китаками в японской префектуре Иватэ.

По словам Kioxia, Fab2 способна производить 218-слойную 3D-флэш-память восьмого поколения, использует революционную технологию компании CBA (CMOS Direct Bonding Array) и поддерживает будущие передовые узлы 3D-флэш-памяти для удовлетворения растущего спроса на рынке хранения данных, управляемом искусственным интеллектом (AI). Производственные мощности Fab2 будут постепенно наращиваться в соответствии с рыночными тенденциями, а серийное производство ожидается в первой половине 2026 года.

Кроме того, завод Fab2 использует амортизирующую строительную конструкцию и оснащен самым современным энергосберегающим производственным оборудованием. Завод использует искусственный интеллект для повышения эффективности производства, использует пространственно-экономичный дизайн объектов и расширяет доступное пространство для производственного оборудования в чистых помещениях. Согласно плану, утвержденному в феврале 2024 года, часть инвестиций в Fab2 будет субсидирована японским правительством.

"Мы рады открыть новый завод Fab2 на заводе в Китаками. Восьмое поколение и последующие продукты 3D-флэш-памяти, производимые Fab2, создадут новую ценность для быстро растущего рынка искусственного интеллекта", — сказал Коитиро Шибаяма, президент и генеральный директор Kioxia Iwate Co., Ltd., который отвечает за эксплуатацию завода в Китаками.

Kioxia и SanDisk успешно сотрудничают более 20 лет. В конце 2023 года Kioxia и SanDisk объединили усилия для выпуска первого в мире 332-слойного BiCS 3D NAND, плотность одного слоя достигла 36,4 Гб/мм2, а скорость интерфейса превысила 4,8 Гб/с, что увеличило емкость хранения на ватт. Эта технология заложила основу для последующих исследований и разработок 1000 и даже более слоев.

В феврале 2025 года стороны совместно выпустили новое поколение технологии интерфейса NAND 4,8 Гб/с в Дюссельдорфе, Германия, которая сочетает в себе энергопотребление и производительность и ориентирована на рынок SSD корпоративного класса и высокопроизводительных вычислений.

В июле 2025 года Kioxia и SanDisk начали поставлять партнерам образцы BiCS9, который использует гибридную архитектуру 112-слойного BiCS5 в сочетании с современным CBA и оснащен интерфейсом Toggle 6.0 для более высокой скорости чтения и записи и экономической эффективности.

Эта новость является результатом компиляции и перепечатки информации из глобального Интернета и стратегических партнеров. Она предназначена только для читателей. Если у вас возникнут какие-либо нарушения или другие проблемы, пожалуйста, своевременно сообщите нам. Этот сайт изменить или удалить ее. Перепечатка этой статьи без официального разрешения строго запрещена.электронная почта:news@wedoany.com
Связанные рекомендации
Samsung Electronics планирует впервые интегрировать собственный GPU в процессоры в 2027 году, ускоряя развитие периферийного ИИ
2025-12-31
Tampnet и Quvia оптимизируют производительность сети с помощью искусственного интеллекта и расширяют морскую связь
2025-11-04
XKL представляет новый продукт для упрощения и оптимизации волоконно-оптических сетей
2025-11-04
Nvidia лидирует в индустрии искусственного интеллекта с рыночной стоимостью более 5 триллионов долларов
2025-11-03
Huawei выпустила умные часы Qingyun H7556 с поддержкой eSIM
2025-11-03
Yushu Technology анонсировала новый продукт: производительность четырехногого робота собаки была обновлена
2025-11-03
Генеральный директор Oracle заявил, что его не беспокоит пузырь ИИ, подчеркнув, что спрос значительно превышает предложение.
2025-11-01
PayPal сотрудничает с OpenAI для расширения возможностей покупок с использованием ИИ
2025-11-01
Основной поставщик Nvidia SK Hynix: мощности по производству ИИ-чипов распроданы раньше срока
2025-11-01
Pitot Networks углубляет свою стратегию кибербезопасности ИИ
2025-11-01
Последние новости
1
Сезон праздников в Техасе: пропан обеспечивает работу в различных сферах
2
Демонстрационная фотоэлектрическая станция на тандемных перовскит-кремниевых модулях компании Dongfang Electric Group введена в эксплуатацию в Ганьсу
3
Россия увеличила поставки газа в Китай по газопроводу «Сила Сибири»
4
Ирак и Курдский регион достигли соглашения о продлении экспорта нефти
5
Samsung Electronics планирует впервые интегрировать собственный GPU в процессоры в 2027 году, ускоряя развитие периферийного ИИ
6
Новая Зеландия и Индия подписали соглашение о свободной торговле, обеспечив нулевые тарифы на экспорт древесины
7
CATL и Siyuan подписали меморандум о сотрудничестве в области накопления энергии на три года
8
Японская компания Mitsui O.S.K. Lines получила одобрение проекта судна для прокладки силовых кабелей
9
Европейская энергетическая компания вводит в эксплуатацию солнечную электростанцию мощностью 148 МВт в Дании
10
Германия одобрила проект закона о биотопливе